強誘電性材料、強誘電体キャパシタ及び半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：北野好人 , 三村治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-071631
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231345
出願日： 2008年03月19日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：

【課題】リーク電流が少なく自発分極量の大きいビスマス元素を含む強誘電性材料、この強誘電性材料を用いた強誘電体キャパシタ、並びにこの強誘電体キャパシタを用いた高集積の半導体記憶装置を提供する。【解決手段】第1の電極10と、第1の電極10上に形成され、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物よりなる第1の強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物よりなる第2の強誘電性材料との混晶を含む強誘電体膜12と、強誘電体膜12上に形成された第2の電極14とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物よりなる第1の強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物よりなる第2の強誘電性材料との混晶を含むことを特徴とする強誘電性材料。

IPC (5件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 27/108 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (3件)：

H01L27/10 444B , H01L27/10 621Z , H01L27/04 C

Fターム (30件)：

5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC17 , 5F038AC18 , 5F038BH19 , 5F038CD14 , 5F038DF05 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ16 , 5F038EZ20 , 5F083AD21 , 5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083JA13 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR21 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (1件)

正方晶BiCoO3及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-336507 出願人：独立行政法人科学技術振興機構

前のページに戻る