特許
J-GLOBAL ID：200903027907735150
磁気抵抗効果型ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-082798
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275314
出願日： 1997年04月01日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【課題】磁気抵抗型ヘッドの動作中に印加する検知電流で生ずるエレクトロマイグレーションによるMR素子の劣化を防ぎ、長寿命の磁気抵抗効果型ヘッドを実現する。【解決手段】MR素子部10の上部もしくは下部またはおよび下部の両方に非磁性金属薄膜もしくは非磁性半導体薄膜からなる非磁性膜19、非磁性膜21を配置する。非磁性膜19、21は、シリコン、炭化シリコン、チタン、窒化チタン、炭化チタン、カーボン、タンタル、窒化タンタル、酸化タンタル、炭化タンタル、酸化タングステン、炭化タングステン、酸化スズ、酸化インジウム、酸化カドミウム、酸化カドミウムスズの膜のうち、少なくとも一つの膜からなる。
請求項（抜粋）：
基板の上に磁気抵抗効果(以下、MR)を検出するためのMR素子部と、前記MR素子部に検知電流を印加する手段を備え、前記MR素子部が、MR膜と、前記MR膜に磁気媒体面に垂直方向の横バイアス磁界を印加するための軟磁性膜と、前記MR膜と前記軟磁性膜の間にあり磁気的な絶縁を行うための第1の非磁性膜とを備える、磁気ディスク媒体に記憶されたデータを読みとるための磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記MR素子部の上部および下部に隣接し、非磁性金属薄膜と非磁性半導体薄膜のうち少なくともどちらか一方からなる第2の非磁性膜が形成されたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
引用特許：
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