特許

J-GLOBAL ID：200903038475709872

シリコン薄膜用基板の製造方法

発明者： 一本松 正道 ,  大西 久男 ,  中谷 浩介 ,  田畑 総一 ,  工藤 周三
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 蔦田 璋子 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-312252
公開番号（公開出願番号）：特開平6-157019
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月03日
要約：

【要約】【構成】 不純物を含むSiまたはSiO2 からなる粗製基板を、塩素ガスまたはケイ素塩化物蒸気の雰囲気中で熱処理し、基板表面近傍の不純物を塩化物蒸気として除去する。【効果】 本発明によれば、表面近傍のみが高純度で安価なSi薄膜用基板を製造することができる。本発明の製造方法により得られた基板の上に高温でSi薄膜を成膜しても、また成膜後に高温処理しても、基板からSi薄膜への不純物の熱拡散が少ない。

請求項（抜粋）：

不純物を含むSiまたはSiO2 からなる粗製基板を、塩素ガスまたはケイ素塩化物蒸気の雰囲気中で熱処理し、基板表面近傍の不純物を塩化物蒸気として除去することを特徴とするシリコン薄膜用基板の製造方法。