フォトダイオード、およびその製造方法、ならびに光通信デバイスおよび光インタコネクションモジュール

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2007054545
公開番号（公開出願番号）：WO2007-105593
出願日： 2007年03月08日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：

フォトダイオードの受光感度と高速性を両立させる。フォトダイオードは、半導体層1と、半導体層1の表面に互いに間隔dをおいて配置され、MSM接合を形成する一対の金属電極2と、を有している。間隔dは、入射光の波長をλとしたときに、λ>d>λ/100の関係を満たしている。一対の金属電極2は、表面プラズモンを誘起することが可能で、少なくとも一方が半導体1層とショットキー接合を形成し、半導体層1の屈折率をnとしたときに、下端部がλ/2nより小さい深さとなる位置まで半導体層1に埋め込まれている。

請求項（抜粋）：

半導体層と、前記半導体層の表面に互いに間隔dをおいて配置され、MSM接合を形成する一対の金属電極と、を有し、前記間隔dは、入射光の波長をλとしたときに、λ>d>λ/100の関係を満たし、前記一対の金属電極は、表面プラズモンを誘起することが可能で、少なくとも一方が前記半導体層とショットキー接合を形成し、該半導体層の屈折率をnとしたときに、下端部がλ/2nより小さい深さとなる位置まで該半導体層に埋め込まれている、フォトダイオード。

IPC (1件)：

H01L 31/108

FI (1件)：

H01L31/10 C

Fターム (7件)：

5F049MA05 , 5F049MB03 , 5F049NA03 , 5F049NB01 , 5F049QA03 , 5F049SS03 , 5F049WA01

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭59-108376号公報 (第4-16頁、図1-3)
特許第2666888号公報 (第3-4頁、図2)
特許第2705757号公報 (第6頁、図1)

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