特許
J-GLOBAL ID：200903048860619073
半導体装置の設計方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-258362
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115071
出願日： 1993年10月15日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 不純物拡散層の製造条件が変化した場合でも、当該条件での不純物の縦方向及び横方向の拡散状態を簡易に予測するシミュレーションを提供する。【構成】 シミュレーションに先だって、幾つかのイオン打ち込み条件、アニール条件の組を決定し、この条件に基いて、モンテカルロ法、若くはC-V法によって不純物拡散層内での不純物の濃度分布を算出、若くは、実測し、この結果をデータベース化する。該データベースは不純物拡散層を形成するためのプロセスシミュレーションに用いられる。この結果、製造条件が種々変わっても、上記データベースを用いて簡単で高精度なプロセスシミュレーションを行うことができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に不純物拡散層を形成するに当り、不純物のイオン打込み条件と、これに引き続いて行われるアニール条件とを、所定のシミュレーションに従って、所望の不純物濃度分布が得られるように決定する半導体装置の設計方法において、予めデータベースを構築するための不純物イオンの打ち込み条件、及びアニール条件を決定し、決定した打ち込み条件に基いて、又は、決定した打ち込み条件及びアニール条件に基いて、不純物の濃度分布をモンテカルロ法によって算出し、上記不純物イオンの打ち込み条件又はアニール条件をパラメータとして当該算出結果をデータベース化し、このデータベースを用いて所定の拡散層形成プロセスシミュレーションを行なうことを特徴とする半導体装置の設計方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/265 Z
, G06F 15/60 370 A
, H01L 21/265 A
