特許
J-GLOBAL ID:200903049426381154

ナノ構造中空炭素材料を有する光電変換素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 中山 亨 ,  坂元 徹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-140565
公開番号(公開出願番号):特開2009-289572
出願日: 2008年05月29日
公開日(公表日): 2009年12月10日
要約:
【課題】液状材料の漏洩がなく、かつ短絡電流密度が大きい光電変換素子を提供する。【解決手段】第1の電極層と第2の電極層とを有し、該第1の電極層と該第2の電極層との間に機能層を有し、該第1の電極層、該第2の電極層及び該機能層からなる群から選ばれる少なくとも1以上の層中に、ナノ構造中空炭素材料が含まれる光電変換素子。ナノ構造中空炭素材料は、金属ナノ粒子を製造する第1の工程と、該金属ナノ粒子の存在下、炭素材料前駆体の重合を行い、金属ナノ粒子の表面に炭素材料中間体を形成させる第2の工程と、該炭素材料中間体を炭化して炭素材料を形成させ、ナノ構造複合材料を製造する第3の工程と、該ナノ構造複合材料から、金属ナノ粒子を除去して、ナノ構造中空炭素材料を製造する第4の工程とを含む方法により製造される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の電極層と第2の電極層とを有し、該第1の電極層と該第2の電極層との間に機能層を有し、該第1の電極層、該第2の電極層及び該機能層からなる群から選ばれる少なくとも1以上の層中に、ナノ構造中空炭素材料が含まれる光電変換素子。
IPC (2件):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件):
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (14件):
5F051AA14 ,  5F051BA18 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB07 ,  5H032CC17 ,  5H032EE01 ,  5H032EE03 ,  5H032EE04 ,  5H032EE08
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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