ガス検出素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-250127
公開番号（公開出願番号）：特開平7-083865
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】絶縁性基板上にガス感応体としての酸化錫半導体薄膜を形成させたガス検出素子であって、高温条件下における抵抗率の経時的な変化を小さくしたものを提供する。【構成】絶縁性基板上にガス感応体としてのゲルマニウム含有酸化錫半導体薄膜を形成させたガス検出素子。

請求項（抜粋）：