特許

J-GLOBAL ID：200903052942930300

不揮発性半導体記憶装置及び記憶システム

発明者： 丹沢 徹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-295580
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139093
出願日： 1995年11月14日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】 電源電圧が低下しても書き換えのための高電圧を得ることができ、かつシステム全体の消費電力を低くできる。【解決手段】 電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルからなるNANDセル型のメモリセルアレイと、リングオシレータ及びレベルシフタからなる振幅拡大オシレータ2と、複数の昇圧セルからなり入力電圧を昇圧する昇圧回路1とを備えたNAND型EEPROMであって、振幅拡大オシレータ2は、電源からの第1の電圧VCC及び第1の電圧VCCよりも高い第2の電圧VDDで駆動されて第2の電圧振幅のクロックCLK,CLKBを出力するものであり、昇圧回路1は、第2の電圧振幅のクロックCLK,CLKBを入力して第2の電圧VDDで駆動されるものである。

請求項（抜粋）：

電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルからなるメモリセルアレイと、メモリセルの書き換えのための電圧を発生するために入力電圧を昇圧する昇圧回路とを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、前記昇圧回路は、電源からの第1の電圧よりも高い第2の電圧で駆動されるもので、かつ第2の電圧振幅のクロックが入力されるものであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。