特許
J-GLOBAL ID：200903056906570867

還元性ガスセンサに用いられる薄膜状の金属酸化物イオン伝導体の製造方法

発明者：
出来 成人

出来 成人 について

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水畑 穣

水畑 穣 について

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伊藤 達也

伊藤 達也 について

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前川 亨

前川 亨 について

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鈴木 健吾

鈴木 健吾 について

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山中 直樹

山中 直樹 について


出願人/特許権者：
財団法人新産業創造研究機構

財団法人新産業創造研究機構 について


代理人 (2件)： 梶 良之 ,  須原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-125442
公開番号（公開出願番号）：特開2005-308529
出願日： 2004年04月21日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】検知出力の安定性が高く、より簡単な構造で、しかも基準ガスを必要としない還元性ガスセンサに用いられる金属酸化物イオン伝導体の製造方法を提供すること。【解決手段】金属酸化物イオン伝導体を構成する金属酸化物薄膜2を液相析出法により析出させる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
金属酸化物イオン伝導体を構成する金属酸化物薄膜を液相析出法により析出させたことを特徴とする還元性ガスセンサに用いられる薄膜状の金属酸化物イオン伝導体の製造方法。
IPC (4件)：
G01N27/416 ,  C01B13/14 ,  C01G25/00 ,  G01N27/409
FI (4件)：
G01N27/46 371G ,  C01B13/14 Z ,  C01G25/00 ,  G01N27/58 B
Fターム (21件)：
2G004BB04 ,  2G004BE12 ,  2G004BE13 ,  2G004BE22 ,  2G004BE23 ,  2G004BE25 ,  2G004BF05 ,  2G004BH08 ,  2G004BJ03 ,  2G004BL08 ,  2G004BL19 ,  2G004BM04 ,  2G004BM07 ,  4G042DA02 ,  4G042DB12 ,  4G042DC03 ,  4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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