特許

J-GLOBAL ID：200903057530311357

半導体装置の設計方法

発明者： 常野 克己 ,  増田 弘生 ,  佐藤 久子 ,  市川 仁子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-252030
公開番号（公開出願番号）：特開平7-105267
出願日： 1993年10月08日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の設計に要する期間を短縮する。【構成】 コンピュータに複数の不純物導入工程106の処理条件からなるプロセスデータ107を入力し、プロセスデータ107に基づいて半導体素子の不純物原子の濃度分布状態を表す濃度プロファイル108を作成し、プロセスデータ107を変更して再入力する半導体装置の設計方法であって、変更したプロセスデータ207に対応する濃度プロファイル208の作成は、変更前のプロセスデータ107を構成する不純物導入工程106の夫々に対応する濃度プロファイル(以下、要素濃度プロファイルという)と、変更した不純物導入工程206に対応する要素濃度プロファイル(110、210)とを作成し、変更前の濃度プロファイル108に要素濃度プロファイル(110、210)を減算及び加算して行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板に不純物原子を導入して形成される複数の半導体領域からなる半導体素子を備える半導体装置の設計段階において、コンピュータに複数の不純物導入工程の処理条件からなるプロセスデータを入力し、該プロセスデータに基づいて前記半導体素子の不純物原子の濃度分布状態を表す濃度プロファイルを作成し、該濃度プロファイルに基づいて前記半導体素子の素子特性を算出し、該素子特性を設計しようとする所定の素子特性と比較し、前記プロセスデータを変更し、その変更したプロセスデータを再入力する半導体装置の設計方法であって、変更したプロセスデータに対応する濃度プロファイルの作成は、変更前のプロセスデータを構成する不純物導入工程の夫々に対応する濃度プロファイル(以下、要素濃度プロファイルという)と、変更した不純物導入工程に対応する要素濃度プロファイルとを作成し、該要素濃度プロファイルをデータベースに記憶し、変更する要素濃度プロファイルに対応した要素濃度プロファイルをデータベースから読み出し、変更前の濃度プロファイルに要素濃度プロファイルを減算及び加算して行うことを特徴とする半導体装置の設計方法。

IPC (2件)：

G06F 17/50 ,  H01L 29/00