特許

J-GLOBAL ID：200903058852447943

薄膜ガスセンサの製造方法

発明者： 田畑 総一 ,  檜垣 勝己 ,  佐々木 博一 ,  大西 久男 ,  国原 健二 ,  鈴木 卓弥 ,  松原 健 ,  小林 光男
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社 ,  富士電機ホールディングス株式会社
代理人 (3件)： 山口 巖 ,  駒田 喜英 ,  松崎 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-166055
公開番号（公開出願番号）：特開2005-003472
出願日： 2003年06月11日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】薄膜ガスセンサの選択燃焼層を剥がれ難くし、製造歩留まりの低下を抑止する。【解決手段】薄膜状の支持膜の外周部または両端部をシリコンウエハーにより支持し、外周部または両端部が厚く中央部が薄く形成されたダイアフラム様の支持基板1,2上に薄膜のヒーター3を形成し、この薄膜のヒーター3を絶縁層4で覆い、その上に一対のガス感知膜用の電極6を形成し、さらに半導体薄膜からなるガス感知膜(SnO2)7を形成し、このガス感知膜7を被覆するように選択燃焼層8を形成した薄膜ガスセンサを製造するに当たり、ガス感知膜7を半導体プロセスで形成後に選択燃焼層8をスクリーン印刷法により形成し、低温で仮焼成した後にダイアフラム加工を行ない、その後に高温で本焼成を行なう。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

薄膜状の支持膜の外周部または両端部をシリコンウエハーにより支持し、外周部または両端部が厚く中央部が薄く形成されたダイアフラム様の支持基板上に薄膜のヒーターを形成し、この薄膜のヒーターを電気絶縁膜で覆い、その上に所定間隔を置いて一対の感知膜電極を形成し、この感知膜電極に接して半導体プロセスによりガス感知膜を形成し、さらにこのガス感知膜を覆うように選択燃焼層を形成した薄膜ガスセンサを製造するに当たり、 前記ガス感知膜を半導体プロセスにより形成した後に、前記選択燃焼層をスクリーン印刷法により形成し、この選択燃焼層を低温で仮焼成した後にダイアフラム加工を行ない、その後に高温で本焼成を行なうことを特徴とする薄膜ガスセンサの製造方法。

IPC (2件)：

G01N27/12 ,  G01N27/04

FI (3件)：

G01N27/12 M ,  G01N27/12 C ,  G01N27/04 E

Fターム (55件)：

2G046AA02 ,  2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046AA21 ,  2G046AA24 ,  2G046BA01 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046BD02 ,  2G046BD06 ,  2G046BE03 ,  2G046BF01 ,  2G046BF02 ,  2G046DB04 ,  2G046DB05 ,  2G046DC13 ,  2G046DD01 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA08 ,  2G046EA09 ,  2G046EA10 ,  2G046EA11 ,  2G046EA18 ,  2G046EA20 ,  2G046FB02 ,  2G046FE00 ,  2G046FE03 ,  2G046FE10 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE39 ,  2G046FE41 ,  2G046FE44 ,  2G060AA02 ,  2G060AB08 ,  2G060AB17 ,  2G060AB18 ,  2G060AB21 ,  2G060AE19 ,  2G060BA01 ,  2G060BB09 ,  2G060BB12 ,  2G060BB14 ,  2G060BB18 ,  2G060BD10 ,  2G060HA01 ,  2G060HB05 ,  2G060HB06 ,  2G060HC06 ,  2G060HE02 ,  2G060JA01