特許
J-GLOBAL ID:200903061732066009

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気記憶装 置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-147548
公開番号(公開出願番号):特開平8-339508
出願日: 1995年06月14日
公開日(公表日): 1996年12月24日
要約:
【要約】【目的】 磁気コアを絶縁膜の熱分解温度よりも高い温度で熱処理することにより、優れた特性の薄膜磁気ヘッドおよびこれを用いた磁気記憶装置を得る。【構成】 上部磁気コア先端部2は、磁気ヘッド浮上面20からスロート長さ21の部分を経由して非磁性スペーサ4の上まで延びる。下部磁気コア1と上部磁気コア先端部2は成膜後400〜600°Cで熱処理された高飽和磁束密度のFe-Ta-N膜である。Fe-Ta-N膜の熱処理は高分子膜である絶縁層6,7,8およびパーマロイ膜である上部磁気コア3の形成より前に行う。これにより、絶縁層6,7,8の形成前に絶縁層の熱分解温度よりも高温でFe-Ta-N膜を熱処理することを可能にし、優れた特性の軟磁性膜と高分子絶縁膜とを備えた薄膜磁気ヘッドを提供でき、また、この薄膜磁気ヘッドと高保磁力の磁気記録媒体とを組み合わせることにより、高記録密度の磁気記憶装置を提供できる。
請求項(抜粋):
温度T1 で熱処理した飽和磁束密度Bs1 の磁性膜A1 と、温度T2 で熱処理した飽和磁束密度Bs2 の磁性膜A2 (ただし、T2 1 ,Bs2 1 )と、厚さ1μm以下の非磁性ギャップ層と、薄膜コイルパターンと、高分子膜よりなる絶縁層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁性膜A1 が前記非磁性ギャップ層の下部と上部とに存在し、かつ前記高分子膜絶縁層の上部には前記磁性膜A2 のみが直接もしくは非磁性ギャップ層を介して存在し、かつ前記磁性膜A1 と前記磁性膜A2 とが直接もしくは前記非磁性ギャップ層を介して接続していることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
FI (2件):
G11B 5/31 E ,  G11B 5/31 A
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開平2-054412
  • 特開昭61-178710
  • 特開昭60-119613
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