特許
J-GLOBAL ID：200903062692849613
磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-017383
公開番号（公開出願番号）：特開2000-215415
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 表面が平坦であり、上下に位置する層との密着性に優れる下電極を有し、そのためにバリア層が平坦であることからMR比が高く、剥離や素子異常の生ずることがなく、歩留まりの高い磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 基板上に下シールド層1と下電極層2とを積層し、更に前記下電極層2上に、強磁性トンネル接合部を積層した磁気抵抗素子において、下電極層2の表面粗度を、3nm以下とする。又、下電極層2を、Ta、Zr、Ti、Hf、W、Mo、Y、V、Nb、Au、Ag、Pdを含む単体、多層膜、又は合金膜とする。又、下電極層2を、Ta、Zr、Hf、W、Ti、Mo、Y、V、Nbを含む単体、多層膜、又は合金膜である第1層と、Au、Ag、Cu、Pt、Pdを含む単体、多層膜、又は合金膜である第2層との多層膜としてもよい。
請求項（抜粋）：
基板上に下シールド層、下電極層、下地層、固定させる層、固定層、バリア層、フリー層、縦バイアス層、絶縁層、上電極層、上シールド層を順次積層した磁気抵抗効果素子であって、前記縦バイアス層及び前記絶縁層を開口することによって前記下電極と前記上電極との間に電流経路を形成し、前記下シールド層の表面粗度を3nm以下とすることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
Fターム (9件)：
5D034AA03
, 5D034BA05
, 5D034BA09
, 5D034BA15
, 5D034BA16
, 5D034BA18
, 5D034BB08
, 5D034BB12
, 5D034DA07
