不揮発性半導体記憶部を含む記憶システム

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-080579
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279295
出願日： 1995年04月05日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】再書込み可能な不揮発性半導体記憶装置における、メモリセルトランジスタの閾値変化による保持データのエラーを防止する。【構成】書込み可能な不揮発性半導体記憶装置を含む記憶システムにおいて、不揮発性半導体メモリのデータの読出回数が基準値を越えた場合に保持データのエラー訂正及び再書込みを行う。【効果】メモリセルトランジスタの閾値変化による保持データの遷移が減少する。

請求項（抜粋）：

データの再書込み可能な不揮発性メモリセル群からなる1つ若しくは複数の記憶領域を有する情報記憶部と、前記情報記憶部から読出されるデータのエラーを検出し、読出データのエラーを訂正して出力する誤り検出訂正回路と、前記情報記憶部からのデータの読出しを計数する読出回数カウンタと、前記情報記憶部が保持するデータの再書込みを行うリフレッシュ制御手段と、を備え、前記リフレッシュ制御手段は、前記データの読出しの計数値が読出基準値を超えると、前記情報記憶部から前記計数の対象となった読出データを含む記憶領域に属する全データを読出し、読出したデータを前記誤り検出訂正回路を経由して前記記憶領域に再度書込む、ことを特徴とする不揮発性半導体記憶部を含む記憶システム。

IPC (3件)：

G11C 16/06 , G06F 12/16 310 , H01L 27/10 491

FI (3件)：

G11C 17/00 309 F , G06F 12/16 310 A , H01L 27/10 491

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭54-090936
特開平2-257498
メモリカード装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-200522 出願人：株式会社東芝

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