特許
J-GLOBAL ID：200903069753978211
半導体装置の設計方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-258361
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115070
出願日： 1993年10月15日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 イオン打込み、アニールにて不純物拡散層を形成する際のプロセスシミュレーションに、アニール初期に生じる増速拡散による影響を反映させる。【構成】 不純物拡散層形成プロセスシミュレーションを行うに当り、予め試験的に拡散層の形成を行い、このとき得られた実測データを基にしてプロセスシミュレーションを構築する。特に、増速拡散が生じ得るアニール初期の拡散速度比D/Doを、アニール時間t、アニール温度T、ドーズ量xをパラメータとした関数として表わし、これをプロセスシミュレーションに組み込む。実際に拡散層を形成する際に、上記関数に基くプロセスシミュレーションを行うと、当該増速拡散による影響がデバイスシミュレーションに反映され、そのデバイス性能(閾値電圧、ドレイン電流等)の予測を、正確に且つ容易に行える。
請求項（抜粋）：
半導体基板に不純物を打ち込み、アニールを行って半導体基板に不純物拡散層を形成する際のアニール条件を設定するに当り、予め試験的に拡散層の形成を行って、当該アニール温度、アニール時間、不純物のドーズ量をサンプリングし、該不純物拡散層の不純物の濃度分布を測定して、その測定結果をアニール温度、アニール時間、又は、不純物のドーズ量をパラメータとした所定の関数にて表し、斯く得られた関数をプロセスシミュレーションに組み込んで、シミュレーションを行って、実際の拡散層のアニール条件を設定することを特徴とする半導体装置の設計方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/265 Z
, G06F 15/60 370 A
, H01L 21/265 A
