薄膜形成方法および薄膜形成装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004004354
公開番号（公開出願番号）：WO2005-093122
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

薄膜形成用材料からなるターゲットと、前記ターゲットから微粒子状の薄膜形成用材料を生成するカソードと、前記微粒子状の薄膜形成用材料を堆積させる基板を支持する支持部材と、前記支持部材で支持した前記基板を加熱するヒーターとを備える薄膜形成装置であって、前記支持部材は、前記基板の第1主面およびその裏面(第2主面)が露出するように前記基板を支持し、前記ターゲットは、前記支持部材で支持された基板の主面の延長方向で前記微粒子状の薄膜形成用材料が生成される位置に配置され、前記ヒーターは、前記支持部材で支持された基板の第1主面および第2主面のそれぞれと向かい合うように配置されている。

請求項（抜粋）：

微粒子状の薄膜形成用材料を生成させ、前記微粒子状の薄膜形成用材料を、加熱した基板の主面上に導き、前記微粒子状の薄膜形成用材料を前記基板の主面上に堆積させて薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記基板は、第1主面及びその裏面(以下、第2主面と称する)が露出するように支持し、前記基板の第1主面及び第2主面のそれぞれを加熱し、前記微粒子状の薄膜形成用材料を、前記基板の主面の延長方向で生成し、前記生成した微粒子状の薄膜形成用材料を、前記基板の第1主面上及び第2主面上に導くことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 14/34 , C23C 14/24 , C23C 16/44 , H01L 39/24

FI (4件)：

C23C14/34 S , C23C14/24 S , C23C16/44 A , H01L39/24 B

Fターム (20件)：

4K029BA50 , 4K029BB04 , 4K029BC04 , 4K029CA01 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC27 , 4K029JA08 , 4K030BA42 , 4K030BB11 , 4K030FA10 , 4K030GA07 , 4K030KA24 , 4K030LA03 , 4M113AD37 , 4M113BA03 , 4M113BA04 , 4M113BA14 , 4M113CA34 , 4M113CA35

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