特許

J-GLOBAL ID：200903073358552857

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 青山 仁子 ,  国友 久彰 ,  常野 克己 ,  中村 高秀 ,  佐藤 久子 ,  増田 弘生
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217956
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064182
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】 配線容量の小さい高性能の半導体集積回路装置と、それを容易に製造できる製造技術を提供する。【構成】 絶縁膜14を介在して隣接する配線層10の断面形状を平行四辺形または楕円などとすることにより、その配線層10の側面を折れ線または曲線とするものであり、隣接する配線層10の側面の各点における離間距離を大きくして隣接する配線層10間の配線容量を小さいものとしている。

請求項（抜粋）：

絶縁膜を介在して隣接する第1の配線層と第2の配線層とを有し、前記第1の配線層の側面およびその側面に対応している前記第2の配線層の側面は、折れ線または曲線となっていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 V ,  H01L 21/88 B