特許

J-GLOBAL ID：200903073799519790

半導体集積回路装置

発明者： 常野 克己 ,  増田 弘生 ,  佐藤 久子 ,  中村 高秀 ,  市川 仁子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-098269
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307337
出願日： 1994年05月12日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板上に形成される配線に高周波ノイズフィルタ作用を持たせ、集積度、レイアウトの自由度を向上させる半導体集積回路装置を提供する。【構成】 半導体基板上に成形された配線1の断面は正方形に成形され、1辺の長さはスキンデプスの2倍とする。スキンデプスは式1により表皮効果の影響を受けさせたくない最高の周波数、半導体集積回路装置のクロック周波数などから求める。 δ=√(2ρ/ωμ) 式1ただし、δ:スキンデプス、ρ:抵抗率、ω:2πf(fは周波数)、μ:μ0(1+χ)(μ0 :真空の透磁率、χ:磁化率)である。式1より、スキンデプスがLとすると、配線1の1辺は2Lとなる。スキンデプスの深さは周波数が高くなるに従い浅くなるので配線1の電流が流れる断面積も小さくなり、配線1の抵抗が増加し、この抵抗がフィルターとなり高周波ノイズは低減される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された配線の断面における所定の辺の長さを、所定の信号周波数におけるスキンデプスの2倍とし、前記所定の信号周波数以上での配線抵抗を増大させることを特徴とする半導体集積回路装置。