特許
J-GLOBAL ID：200903076309879351
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-158791
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008295
出願日： 1997年06月16日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 基板リークが生じない素子分離構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体基板1の一主面に設けられたトレンチ分離溝2と、トレンチ分離溝2に埋め込まれた第1の絶縁膜3と、トレンチ分離溝2の上端部に埋め込まれた第2の絶縁膜8とにより形成される素子分離構造を有する。本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板1の一主面に第3の絶縁膜と第4の絶縁膜とを形成した後、トレンチ分離溝2を形成する工程と、トレンチ分離溝2に第1の絶縁膜3を埋め込む工程と、第1の絶縁膜3の表面を平坦化した後、第3の絶縁膜と第4の絶縁膜とを除去する工程と、第2の絶縁膜8をトレンチ分離溝2の上端部に堆積する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面に設けられたトレンチ分離溝と、該トレンチ分離溝に埋め込まれた第1の絶縁膜と、前記トレンチ分離溝の上端部に埋め込まれた第2の絶縁膜とにより形成される素子分離構造を有することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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