特許

J-GLOBAL ID：200903084200967059

半導体素子

発明者： 田中 利彦 ,  松本 真哉 ,  青山 哲也 ,  和田 達夫
出願人/特許権者： 住友化学株式会社 ,  国立大学法人横浜国立大学 ,  独立行政法人理化学研究所
代理人 (2件)： 中山 亨 ,  坂元 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-131606
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283523
出願日： 2008年05月20日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

【課題】半導体の薄膜の面内で特定の方向に特にキャリア移動度が高い薄膜を有する半導体素子を得ること。【解決手段】ビスアゾメチン基を含有する分子からなる薄膜を有する半導体素子であって、該薄膜中で該ビスアゾメチン基が配向していることを特徴とする半導体素子【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ビスアゾメチン基を含有する分子からなる薄膜を有する半導体素子であって、該薄膜中で該ビスアゾメチン基が配向していることを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05

FI (4件)：

H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250G

Fターム (28件)：

5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HM04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 導電性有機材料配向膜の製造方法及び導電性有機材料配向膜を用いた有機電子素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-241078   出願人：松下電器産業株式会社