特許

J-GLOBAL ID：200903088564325317

半導体装置

発明者： 小森 重樹 ,  山下 朋弘 ,  犬石 昌秀
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-026861
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223734
出願日： 1996年02月14日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の高集積化に伴い、スケーリング則に従って素子を微細化すると従来のコンタクト構造では、接合耐圧が低下するということが問題となっていた。【解決手段】 この発明によれば、コンタクト4下の不純物領域9の底面が、半導体基板1内の所定の深さに形成され、不純物領域9と同導電型の不純物層6、7、及び不純物帯8の形成位置を避け、不純物濃度の低い逆導電型の不純物を含む半導体基板1に接しており、コンタクト4に電圧が印加された場合に空乏層が広がり易く、接合耐圧を向上させることが可能である。

請求項（抜粋）：

第一の導電型の半導体基板、上記半導体基板内に形成された第一の導電型の不純物層、上記不純物層下部の半導体基板内に形成された第一の導電型の不純物帯、上記半導体基板の表面から所定の深さにかけて形成され、少なくとも一部が上記不純物層に接する第二の導電型の不純物領域、上記不純物領域に接して形成されたコンタクトを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 X

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平3-171672
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-344066   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開平4-002134
  
• 特開昭62-295461
  

審査官引用 (4件)

• 特開平3-171672
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-344066   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開平4-002134
  
• 特開昭62-295461