特許

J-GLOBAL ID：200903093300831277

半導体装置の製造方法

発明者： 最上 徹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-131731
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335588
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】サリサイド構造の拡散層とポリサイド構造のゲート電極との間のリーク,短絡を抑止する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】ゲート電極3の側面に酸化シリコン膜スペーサ14a,窒化チタン膜スペーサ15aを形成し、全面にチタン膜を形成した後、熱処理してチタンシリサイド膜8aa,8abを形成する。過酸化水素水により、窒化チタン膜25a,チタン膜7aaおよび窒化チタン膜スペーサ15aを選択的に除去する。

請求項（抜粋）：

一導電型のシリコン基板の表面のそれぞれの所定の領域にフィールド絶縁膜とゲート絶縁膜とをそれぞれに形成し、該ゲート絶縁膜の所定の領域上に多結晶シリコン膜からなるゲート電極を形成する工程と、全面に絶縁膜および第1の高融点金属の窒化物からなる高融点金属窒化膜を順次形成する工程と、異方性エッチングにより前記シリコン基板の表面の所要の領域および前記ゲート電極の上面が露出するまで前記高融点金属窒化膜,前記絶縁膜および前記ゲート絶縁膜のエッチバックを行ない、前記ゲート電極の側面に該絶縁膜からなる第1のスペーサおよび該高融点金属窒化膜からなる第2のスペーサを残置する工程と、前記シリコン基板の表面の前記所要の領域に、逆導電型の拡散層を選択的に形成する工程と、全面に第2の高融点金属からなる高融点金属膜を形成する工程と、熱処理を行ない、少なくとも前記ゲート電極の上面および前記拡散層の表面にそれぞれ前記第2の高融点金属の珪化物からなる高融点金属シリサイド膜を形成する工程と、前記第2のスペーサおよび未反応の前記高融点金属膜を少なくとも選択的にエッチング除去し、前記ゲート電極の上面および前記拡散層の表面にのみに前記高融点金属シリサイド膜を残置する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。