特許
J-GLOBAL ID：200903094300021417
色素増感型太陽電池のアノード電極の製造方法および色素増感型太陽電池のアノード電極
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
武政 善昭
, 畑▲崎▼ 昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-170185
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344531
出願日： 2005年06月09日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：
【課題】 色素増感型太陽電池の変換効率を向上させるとともに、その耐久性を向上させる。【解決手段】透明基板の上の透明導電膜の表面にチタン等金属薄膜を形成し、該金属薄膜の表面に炭化水素を主成分とするガスの燃焼炎を所定の条件で当てて該金属薄膜内部に炭素がTi-C結合の状態でドープされた炭素ドープ酸化チタンからなる微細柱が林立する層を形成し、次いで該微細柱が林立する層を表面層に沿う方向で切断して前記透明導電膜上に炭素ドープ酸化チタン又は炭素ドープチタン合金酸化物からなる微細柱が林立するごとき形態を有するナノ多孔質薄膜を露出させ、該ナノ多孔質薄膜に増感色素を担持して色素増感型太陽電池のアノード電極を製造する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明基板の上に透明導電膜と、チタン、酸化チタン、チタン合金又はチタン合金酸化物からなる金属薄膜と、を順次形成し、
該金属薄膜の表面に炭化水素を主成分とするガスの燃焼炎を直接当てて金属薄膜の表面温度が600°C以上となるように加熱処理するか、又は、炭化水素を主成分とするガスの燃焼ガス雰囲気中又は炭化水素を主成分とするガス雰囲気中で金属薄膜の表面をその表面温度が600°C以上となるように加熱処理することによって、該金属薄膜内部に炭素がTi-C結合の状態でドープされた炭素ドープ酸化チタン又は炭素ドープチタン合金酸化物からなる微細柱が林立する層を形成し、
次いで該微細柱が林立する層を表面層に沿う方向で切断して前記透明導電膜上に炭素ドープ酸化チタン又は炭素ドープチタン合金酸化物からなる微細柱が林立するごとき形態を有するナノ多孔質薄膜を露出させ、
該ナノ多孔質薄膜に増感色素を担持する、ことを特徴とする色素増感型太陽電池のアノード電極の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
5F051AA14
, 5F051CB27
, 5F051GA03
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032BB02
, 5H032EE02
, 5H032EE07
, 5H032EE16
, 5H032EE18
, 5H032HH00
, 5H032HH04
, 5H032HH06
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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