半導体集積回路装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-146976
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340111
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】しきい値電圧の制御が容易で、同時に、高速動作および高集積化が可能なMOSFETを実現する。【構成】 MOSFETのゲート電極3の中央直下のチャネル領域7を除いて、ソース、ドレイン領域5およびLOCOS酸化膜6の下が、埋め込み絶縁膜8によって包囲されているので、しきい値電圧が基板電圧によって容易に制御できると同時に、ソース、ドレイン領域5とシリコン基板1の接合容量が低減でき、さらに、LOCOS酸化膜6の薄膜化が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面上に形成されたフィールド絶縁膜で分離された活性領域に、ゲート電極および前記ゲート電極の左右両側壁の直下近傍から外側にかけて形成されたソース、ドレイン領域が設けられたMOSFETを有する半導体集積回路装置であって、前記ソース、ドレイン領域によって挟まれた前記ゲート電極直下に位置するチャネル領域を除いて、前記ソース、ドレイン領域および前記フィールド絶縁膜の下部を包囲するように埋め込み絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/762 , H01L 27/08 331 , H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 27/08 331 E , H01L 27/12 B , H01L 21/76 D

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平2-030146
特開平2-025036
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-267184 出願人：株式会社日立製作所

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