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J-GLOBAL ID：201002218485706761   整理番号：10A0878393

ナフタルイミド,ナフタルジイミド及びアントラキノンが仲介したDNA中の電荷分離と光増感損傷

Charge Separation and Photosensitized Damage in DNA Mediated by Naphthalimide, Naphthaldiimide, and Anthraquinone

著者 (4件)： KAWAI Kiyohiko (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OSAKADA Yasuko (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MATSUTANI Eri (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MAJIMA Tetsuro (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Physical Chemistry B  (Journal of Physical Chemistry B)
巻： 114  号： 31  ページ： 10195-10199  発行年： 2010年08月12日 
JST資料番号： W0921A  ISSN： 1520-6106  CODEN： JPCBFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光増感剤(Sens)のナフタルイミド(NI),ナフタルジイミド(ND)及びアントラキノン(AQ)を用いて化学修飾したDNAについて,電荷分離と電荷再結合動力学及び酸化的DNA分解を調べた。太陽紫外線照射に皮膚を曝露すると,DNA損傷が二種類の主要経路:ピリミジン塩基の直接励起を経由した変異原性ピリミジン二量体生成と核酸塩基の酸化的損傷をトリガーするSensの光励起で起こる。三種類のSens化学修飾DNA系において,長寿命電荷分離状態の生成を観測し,そこでは,寿命はSensと隣接グアニン-シトシン(G-C)塩基対間のアデニン-チミン(A-T)塩基対の数の増加と共に増加した。電荷分離状態の寿命はDNA損傷収率と良く相関し,電荷分離状態が不可逆的DNAの酸化的損傷が起こる時間を提供することを指示した。DNA損傷の量子収率は分子状酸素とNDラジカルアニオンの緩速反応によりND化学修飾DNAでは最低であった;その過程は電荷再結合を予め排除する必要があった。AQ化学修飾DNAは最高の電荷分離と引き続くDNA損傷収率を生じ,電荷分離間のスピン禁止三重項ラジカルイオン対の生成によって部分的に説明できた。

シソーラス用語： DNA【核酸】 ,  *電荷分離 ,  *DNA損傷 ,  化学修飾 ,  *光増感剤 ,  再結合 ,  *塩基対 ,  プリン塩基 ,  ピリミジン塩基 ,  量子収量 ,  アニオンラジカル ,  三重項 ,  イオン対 ,  光ポンピング ,  過渡吸収スペクトル ,  時間発展 ,  酸化還元電位 ,  一重項 ,  二原子分子 ,  窒素複素環化合物 ,  キノン ,  芳香族縮合化合物 ,  ヒドロキシ化合物 ,  ウレア化合物
準シソーラス用語： ラジカルアニオン ,  光励起 ,  酸化的DNA損傷 ,  電荷再結合 ,  分子状酸素 ,  量子収率

分類 (1件)： 核酸一般  (EB04010U)

物質索引 (7件)： アデニン ,  アントラキノン ,  グアニン ,  シトシン ,  チミン ,  ナフタルイミド ,  ナフタルジイミド

タイトルに関連する用語 (7件)： ナフタルイミド ,  アントラキノン ,  仲介 ,  DNA ,  電荷分離 ,  光増感 ,  損傷