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J-GLOBAL ID：201002230292175297   整理番号：10A1324542

光起電応用のためのケイ素ナノワイヤ配列組織の太陽電池

Silicon nanowire-array-textured solar cells for photovoltaic application

著者 (12件)： CHEN Chen (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  JIA Rui (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  YUE Huihui (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  LI Haofeng (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  LIU Xinyu (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  WU Deqi (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  DING Wuchang (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  YE Tianchun (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  KASAI Seiya (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  TAMOTSU Hashizume (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  CHU Junhao (Res. Center for Advanced Solar Cells, Chinese Acad. of Sciences, CHN) ,  WANG Shanli (Res. Center for Advanced Solar Cells, Chinese Acad. of Sciences, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 9  ページ： 094318  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文で垂直整列のケイ素ナノワイヤ(Si NWs)配列を合成し,光起電応用のためケイ素ナノワイヤ配列組織の太陽電池に適用した。平面およびピラミッド状配列組織の両基板上のSi NWs配列の光学的性質を光反射性で調べた。800nm波長で2%より少ない反射比を達成した。残りのナノ結晶Si(c-Si)ウエハ(125×125mm²)を用いて,ピラミッド状配列組織のc-Si太陽電池に比較して,35.4%増加した16.5%のエネルギー転換効率を,増強した光吸収特性により,Si NW配列組織の太陽電池により達成した。しかしながら,表面組織としてSi NWs配列を使用する時,SiN_x保護がないと短絡電流は表面再結合の増加により減少し,最適な表面保護が高効率なSi NW配列組織の太陽電池において前必要条件であることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  *ナノワイヤ ,  *光起電素子 ,  配列 ,  *太陽電池 ,  光反射 ,  角錐 ,  平面 ,  *エネルギー変換効率 ,  *保護膜

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 応用 ,  ケイ素ナノワイヤ ,  組織 ,  太陽電池