AlN/サファイア上に有機金属気相エピタクシーにより成長させたSiドープAlxGa1-xN(0
Variation of Surface Potentials of Si-Doped AlxGa1-xN (0
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著者 (5件)：
KUBO Toshiharu
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(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
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TAKETOMI Hiroyuki
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(Mie Univ., Tsu, JPN)
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MIYAKE Hideto
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(Mie Univ., Tsu, JPN)
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HIRAMATSU Kazumasa
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(Mie Univ., Tsu, JPN)
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HASHIZUME Tamotsu
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(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
Applied Physics Express について
巻：
3
号：
2
ページ：
021004.1-021004.3
発行年：
2010年02月25日
JST資料番号：
F0599C
ISSN：
1882-0778
CODEN：
APEPC4
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
イギリス (GBR)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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広範囲のAl組成を有するSiドープAlGaN表面の化学的性質と電気的性質を調べた。AlGaNの表面電位は0.9eV(GaN)から2.6eV(Al0.87Ga0.13まで系統的に増加し,これは表面のFermi準位(Esurf)の位置がAl組成が増すと共に中間ギャップに近づく事実と一致する。また,Esurf位置のプロットはWalukiewiczら[J.Cryst.Growth 269(2004)119]により報告されているFermi準位安定化エネルギーに密接に従い,AlGaN表面のFermi準位の位置がある種の表面欠陥変換により支配され得ることを示す。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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MOCVD
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基板
基板 について
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窒化アルミニウム
窒化アルミニウム について
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化合物半導体
化合物半導体 について
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半導体材料
半導体材料 について
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窒化ガリウム
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アルミニウム化合物
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ドーピング
ドーピング について
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ケイ素
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化学的性質 について
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*電気的性質
電気的性質 について
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表面欠陥
表面欠陥 について
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薄膜成長
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*半導体薄膜
半導体薄膜 について
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結晶成長
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表面性状
表面性状 について
準シソーラス用語：
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サファイア基板
サファイア基板 について
分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜
(BK14040E)
半導体薄膜 について
引用文献 (40件)：
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SUN, W. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, L1419
-
ZHANG, J. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 7250
-
NAGAMATSU, K. J. Cryst. Growth. 2008, 310, 2326
-
HIRAYAMA, H. Appl. Phys. Express. 2008, 1, 051101
-
WU, Y.-F. IEEE Electron Device Lett. 1998, 19, 50
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タイトルに関連する用語 (7件)：
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AlN
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サファイア
サファイア について
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有機金属気相エピタクシー
有機金属気相エピタクシー について
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成長
成長 について
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Si
Si について
,
ドープ
ドープ について
,
表面特性
表面特性 について
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Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
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Mie Univ., Tsu, JPN について
MIYAKE Hideto について
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資料名：
Applied Physics Express について
巻： 3 号： 2 ページ： 021004.1-021004.3 発行年： 2010年02月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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サファイア基板 について
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜 について
- SUN, W. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, L1419
- ZHANG, J. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 7250
- NAGAMATSU, K. J. Cryst. Growth. 2008, 310, 2326
- HIRAYAMA, H. Appl. Phys. Express. 2008, 1, 051101
- WU, Y.-F. IEEE Electron Device Lett. 1998, 19, 50
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AlN について
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