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J-GLOBAL ID：201002240924599530   整理番号：10A1102693

ホイスラー合金スピンソースとMgO障壁を持つエピタキシャル磁気トンネル接合における最大450%の室温高トンネル磁気抵抗

High tunnel magnetoresistance of up to 450% at room temperature in epitaxial magnetic tunnel junctions with a Heusler-alloy spin source and a MgO barrier

著者 (6件)： LIU Hong-xi (Hokkaido Univ.) ,  TAIRA Tomoyuki (Hokkaido Univ.) ,  HONDA Yusuke (Hokkaido Univ.) ,  MATSUDA Ken-ichi (Hokkaido Univ.) ,  UEMURA Tetsuya (Hokkaido Univ.) ,  YAMAMOTO Masafumi (Hokkaido Univ.)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.14A-F-2  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： TMR素子 ,  *トンネル接合 ,  磁気抵抗効果 ,  *ホイスラー合金 ,  コバルト合金 ,  マンガン含有合金 ,  ケイ素含有合金 ,  酸化マグネシウム ,  ポテンシャル障壁 ,  鉄含有合金 ,  強磁性体 ,  磁性薄膜 ,  電極 ,  多層膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  依存性 ,  膜厚 ,  *磁気抵抗 ,  エピタクシー ,  室温 ,  バッファ層 ,  イリジウム合金
準シソーラス用語： *トンネル磁気抵抗 ,  トンネル磁気抵抗素子 ,  トンネル障壁

分類 (1件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (9件)： ホイスラー合金 ,  スピン ,  ソース ,  MgO ,  障壁 ,  エピタキシャル ,  磁気トンネル接合 ,  室温 ,  トンネル磁気抵抗