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J-GLOBAL ID：201002256727773093   整理番号：10A0404848

ゆらぎと雑音 ゆらぎや雑音と共存可能な新しい集積ナノデバイス

著者 (3件)： 葛西誠也 (北大 大学院情報科学研究科) ,  葛西誠也 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  葛西誠也 (JST-さきがけ)
資料名： 計測と制御  (Journal of the Society of Instrument and Control Engineers)
巻： 49  号： 4  ページ： 229-235  発行年： 2010年04月10日 
JST資料番号： F0131A  ISSN： 0453-4662  CODEN： KESEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 確率共鳴とは「雑音によって系の応答が高まる現象」である。本稿は,デバイスのナノサイズ化に伴って避けることができなくなる,ゆらぎや雑音と共存可能なエレクトロニクスについて考察した。共存のきっかけとなる確率共鳴の機構と,その機構をナノデバイスに組み込むこと,そして集積化の役割について解説した。GaAsナノワイヤネットワーク上に形成したトランジスタを用いた現象発現,電子的な確率共鳴の応答,および並列ネットワーク集積化の効果について述べた。実験的に得られた特性は確率微分方程式に基づくキャリアの確率的挙動によって理解される。確率共鳴のエレクトロニクス応用の可能性は高まりつつある。

シソーラス用語： ゆらぎ ,  雑音 ,  *共鳴 ,  *ナノ構造 ,  *集積 ,  ナノワイヤ ,  確率微分方程式 ,  キャリア ,  ネットワーク
準シソーラス用語： *確率共鳴 ,  *ナノデバイス

分類 (2件)： 集積回路一般  (NC03161C) ,  雑音理論  (ND04020U)

引用文献 (28件)：

• RAO, C. V. Control, exploitation and tolerance of intracellular noise. Nature. 2002, 420, 231
• 北野宏明. したたかな生命. 2007
• OHMI, T. New are of silicon technologies due to radical reaction based semiconductor manufacturing. J. Phys. D. 2006, 39, R1
• International Technology Semiconductor Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2009 ed. http://www.itrs.net/Links/2009ITRS/Home2009.htm. 2009
• ASENOV, A. Simulation of intrinsic parameter fluctuations in decananometer and nanometer-scale MOSFETs. IEEE Trans. Electron Device. 2003, 50, 1837

タイトルに関連する用語 (5件)： ゆらぎ ,  雑音 ,  共存 ,  集積 ,  ナノデバイス