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J-GLOBAL ID：201002260254360680   整理番号：10A0533488

紫外光励起オゾンによるシリコン酸化膜および化学気相成長法 (CVD)-SiO₂ 膜の二段階酸化膜の界面特性評価

Interface Properties of the Two Step Oxide Layers by UV Light Excited Ozone Silicon Oxidation and Chemical Vapor Deposition (CVD)-SiO₂ Film

著者 (9件)： 亀田直人 (株式会社 明電舎) ,  亀田直人 (産業技術総合研究所) ,  西口哲也 (株式会社 明電舎) ,  西口哲也 (産業技術総合研究所) ,  森川良樹 (株式会社 明電舎) ,  花倉満 (株式会社 明電舎) ,  牛山智晴 (産業技術総合研究所) ,  野中秀彦 (産業技術総合研究所) ,  一村信吾 (産業技術総合研究所)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 53  号： 3  ページ： 230-233 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 直接酸化と化学的気相成長(CDV)による2段階過程によりSiO₂膜を作製し,界面酸化膜の有効性を検討した。第一部はUV励起オゾン(O(¹D))を用いた直接的SiO₂膜の酸化であり,オゾンは高濃度オゾンガスへのUV照射により生成した。第二部ではO(¹D)およびヘキサメチレンジシラン化学的気相成長を用いた。Si直接酸化時間10分で,2段階酸化膜内の直接酸化により作製されるSiO₂膜厚が3.2nmであるとエッチング測定から評価した。2段階酸化膜の界面準位密度D_itは,直接酸化時間の増加に対して改善効果が確認され,10分行なった試料においてCVD炉で作製した直接酸化膜単独のD_itと同等になった。この結果は,実際的作製のために2段階酸化過程を適用できることを示している。

シソーラス用語： *オゾン ,  *紫外線照射 ,  酸化ケイ素 ,  *酸化 ,  *化学蒸着 ,  シラン ,  酸素 ,  *二酸化ケイ素 ,  *蒸着膜 ,  膜厚 ,  状態密度 ,  *表面準位
準シソーラス用語： 準位密度

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

引用文献 (8件)：

• KAMEDA, N. Jpn. J. Appl. Phys. 2009, 48, "05DB01-1"-"05DB01-4"
• NISHIGUCHI, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, 2835-2839
• KAMEDA, N. J. Electrochem. Soc. 2007, 154, 9, H769-H772
• TOSAKA, A. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, L1144-L1146
• NISHIGUCH, T. Rev. Sci. Instrum. 2002, 73, 1217-1223

タイトルに関連する用語 (10件)： 紫外光 ,  励起 ,  オゾン ,  シリコン酸化膜 ,  化学気相成長法 ,  CVD ,  段階 ,  酸化膜 ,  界面特性 ,  評価