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J-GLOBAL ID:201002265823526446   整理番号:10A0133864

イオン液体ゲートn型有機電界効果トランジスタの極低電圧動作

Very Low-Voltage Operation of Ionic Liquid-Gated n-Type Organic Field-Effect Transistors
著者 (5件):
資料名:
巻: 49  号: 1,Issue 2  ページ: 01AB13.1-01AB13.3  発行年: 2010年01月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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n型有機電界効果トランジスタを,ゲート層にイオン液体電解液を用い,極低ゲート電圧において高相互コンダクタンスで動作させた。テトラシアノキノジメタン単結晶とC60薄膜をそれぞれ,高密度電子が半導体表面で急速に蓄積されるように,その低粘度と高イオン伝導率で知られている1-エチル-3-メチル-イミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドのイオン液体と結合させた。トランジスタは最小ゲート電圧の印加によって分子スケールHelmholtz層に閉じ込めた高い電場によってゲートコントロールした。高相互コンダクタンス単結晶の素子は優れた空気安定性を表し,C60薄膜トランジスタは,従来のSiO2素子に比べた閾値電圧の顕著な改良とともに,報告されたn型有機トランジスタの中で最高の正規化相互コンダクタンスを実現した。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
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トランジスタ  ,  有機化合物の薄膜  ,  融解塩 
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