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J-GLOBAL ID：201002266750217500   整理番号：10A0518706

MOVPE選択成長法による縦ヘテロ接合ナノワイヤ作製のためのGaAsPナノワイヤの成長条件検討

著者 (6件)： 藤澤翔太 ,  林田淳 ,  佐藤拓也 ,  本久順一 ,  原真二郎 ,  福井孝志
資料名： 応用物理学会北海道支部・日本光学会北海道地区合同学術講演会講演予稿集  (応用物理学会北海道支部学術講演会・日本光学会北海道地区講演予稿集)
巻： 45th-6th  ページ： 81  発行年： 2010年01月08日 
JST資料番号： L5918A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOCVD ,  ヘテロ接合 ,  *ナノワイヤ ,  *ヒ化ガリウム ,  リン化物 ,  結晶成長 ,  スパッタリング ,  電子顕微鏡観察 ,  開口部

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： MOVPE ,  選択成長 ,  縦 ,  ヘテロ接合 ,  ナノワイヤ ,  作製 ,  GaAsP ,  成長条件