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J-GLOBAL ID：201002267426517379   整理番号：10A0898599

原子層堆積法によAり調製したAl₂O₃/n-GaN構造の電気的性質の改善のためのプロセス条件

Process Conditions for Improvement of Electrical Properties of Al₂O₃/n-GaN Structures Prepared by Atomic Layer Deposition

著者 (4件)： HORI Yujin (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  MIZUE Chihoko (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 8,Issue 1  ページ： 080201.1-080201.3  発行年： 2010年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層蒸着により調製したAl₂O₃/GaN構造の電気的性質に及ぼす作製プロセスの影響を調べた。Ohmic電極形成のための800°Cのアニーリングプロセスにより多数のAl₂O₃層の微結晶化領域が生じ,Al₂O₃/GaN構造の電流-電圧特性における著しい漏れ電流の原因となった。それでSiN保護層を持つOhmic第一プロセスをGaN構造に応用した。このプロセスにおいてAl₂O₃の原子配置における非晶質相が維持され,Al₂O₃/GaN界面における漏れ電流が著しく抑制された。さらにAl₂O₃/GaN構造は,良好な容量-電圧特性を示し,1×10¹²cm^-2eV^-1より小さい低界面状態密度が生じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *原子層エピタクシー ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *熱処理 ,  *酸化アルミニウム ,  微結晶 ,  電流電圧特性 ,  *漏れ電流 ,  被覆材 ,  *保護膜

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (23件)：

• B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman: IEEE Electron Device Lett.21(2000)268.
• T. Hashizume, S. Ootomo, T. Inagaki, and H. Hasegawa: J. Vac. Sci. Technol. B 21(2003)1828.
• U. K. Mishra, L. Shen, T. E. Kazior, and Y. F. Wu: Proc. IEEE 96(2008)287.
• T. Hashizume, S. Ootomo, and H. Hasegawa: Appl. Phys. Lett.83(2003)2952.
• T. Hashizume, S. Anantathanasarn, N. Negoro, E. Sano, H. Hasegawa, K. Kumakura, and T. Makimoto: Jpn. J. Appl. Phys.43(2004) L777.

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子層堆積法 ,  調製 ,  Al2O3 ,  電気的性質 ,  プロセス条件