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J-GLOBAL ID：201002269983546155   整理番号：10A0518708

InP-pn接合基板へのポーラス構造形成および電気的特性評価

著者 (4件)： 吉澤直樹 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  岡崎拓行 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  橋詰保 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 応用物理学会北海道支部・日本光学会北海道地区合同学術講演会講演予稿集  (応用物理学会北海道支部学術講演会・日本光学会北海道地区講演予稿集)
巻： 45th-6th  ページ： 83  発行年： 2010年01月08日 
JST資料番号： L5918A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *PN接合 ,  *多孔質体 ,  電気的性質 ,  薄膜成長 ,  エッチング ,  光照射 ,  電流電圧特性 ,  ダイオード ,  化合物半導体 ,  半導体材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： InP ,  PN接合 ,  ポーラス構造 ,  電気的特性 ,  評価