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J-GLOBAL ID：201002276593642303   整理番号：10A0465151

MOVPE選択成長法と再成長によるシリコン基板上のGaAs/InAs/GaAsナノワイヤ量子井戸の作製

著者 (6件)： 冨岡克広 ,  冨岡克広 (JST-さきがけ) ,  本久順一 ,  原真二郎 ,  比留間健之 ,  福井孝志
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.17A-TM-1  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *MOCVD ,  エピタクシー ,  選択成長 ,  結晶成長 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  *量子井戸 ,  *ナノワイヤ ,  電子ビームリソグラフィー ,  エッチング ,  *パターン形成 ,  *光ルミネセンス ,  赤外発光スペクトル
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  再成長

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： MOVPE ,  選択成長 ,  再成長 ,  シリコン基板 ,  GaAs ,  InAs ,  ナノワイヤ ,  量子井戸 ,  作製