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J-GLOBAL ID：201002278351689227   整理番号：10A1137319

異常分散効果を用いた小角散乱法による高分子薄膜中の金属イオン分布の解析

著者 (6件)： 杉山正明 (Kyoto Univ., Osaka, JPN) ,  副島雄児 (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  折原宏 (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  伊藤恵司 (Kyoto Univ., Osaka, JPN) ,  森一広 (Kyoto Univ., Osaka, JPN) ,  福長俊晴 (Kyoto Univ., Osaka, JPN)
資料名： KEK Proceedings  (KEK Proceedings)
号： 2008-8  ページ： 61-64  発行年： 2008年11月 
JST資料番号： L1349A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 高分子薄膜 ,  *小角X線散乱 ,  金属イオン ,  異常分散 ,  散乱関数 ,  *フッ素樹脂 ,  *陽イオン交換樹脂 ,  高分子電解質 ,  電気伝導率
準シソーラス用語： イオン分布 ,  *Nafion

分類 (1件)： 高分子固体の構造と形態学  (CG02022M)

タイトルに関連する用語 (6件)： 異常分散 ,  小角散乱 ,  高分子薄膜 ,  金属イオン ,  分布 ,  解析