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J-GLOBAL ID：201002281930066410   整理番号：10A0388364

カルボニル架橋ビチアゾール誘導体系の大気安定性n型有機電界効果トランジスタ

Air-Stable n-Type Organic Field-Effect Transistors Based on Carbonyl-Bridged Bithiazole Derivatives

著者 (5件)： IE Yutaka (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NITANI Masashi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KARAKAWA Makoto (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TADA Hirokazu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASO Yoshio (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 20  号： 6  ページ： 907-913  発行年： 2010年03月24日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 研究の少ないn型有機電界効果トランジスタ(OFET)材料を目的として,カルボニル架橋共役ビチアゾール誘導体,C-BTz及び非架橋BTzの合成,特性,及びn型OFET性能を報告した。市販原料から最終的にカップリング反応によってC-BTz及びBTzを合成し,MS,NMR,元素分析などで同定した。サイクリックボルタンメトリーで電気化学特性を調べ紫外-可視吸収スペクトルと時間依存DFT計算からC-BTzでHOMO-LUMO転移に対応する吸収を確認した。また,X線回折で分子構造を解析した。pドープシリコン基板をゲート電極とするトップコンタクト型及びボトムコンタクト型FETを作製し,電界効果移動度,オン/オフ比などを測定した。また,AFMとX線回折で薄膜構造を調べた。C-BTzを基材とするOFET装置は真空条件下ではオン/オフ比10⁶及び閾値電圧20Vで0.06cm²/Vsの高い電子移動度を示すこと,さらにこれらの装置は大気条件下でも同一水準の電子移動度を示すことなどが分かった。

シソーラス用語： *硫黄複素環化合物 ,  *窒素複素環化合物 ,  *化学合成 ,  化学組成 ,  分子構造 ,  結晶構造 ,  酸化還元電位 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  *薄膜 ,  微細構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  素子構造 ,  ゲート【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  *キャリア移動度 ,  電圧 ,  比率 ,  *安定性 ,  大気
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  トップゲート構造 ,  ボトムゲート ,  *電界効果移動度 ,  *有機FET ,  閾値電圧

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  チアゾール,イソチアゾール  (CF07081P)

物質索引 (2件)： 4,10-ビス[4-(トリフルオロアセチル)フェニル]-3,11-ジチア-5,9-ジアザトリシクロ[6.3.0.0^2,6]ウンデカン-1(8),2(6),4,9-テトラエン-7-オン ,  2,2′-ビス[4-(トリフルオロアセチル)フェニル]-5,5′-ビチアゾール

タイトルに関連する用語 (5件)： カルボニル ,  架橋 ,  チアゾール誘導体 ,  大気安定性 ,  有機電界効果トランジスタ