特許
J-GLOBAL ID：201003067141804050
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
須山 佐一
, 須山 英明
, 川原 行雄
, 山下 聡
, 熊井 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-136186
公開番号（公開出願番号）：特開2010-283204
出願日： 2009年06月05日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：
【課題】保護フィルムと半導体基板間での不十分な密着性に起因する不具合の発生が防止された半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1,第2の主面を有する半導体基板の前記第1の主面に複数の第1の溝を形成するステップと,前記第1の溝内に,前記第1の主面より上方に位置する上面を有する絶縁部材を形成するステップと,前記絶縁部材の内,前記第1の主面より上方に有る部分の一部を除去するステップと,前記除去の後,前記絶縁部材に第2の溝を形成するステップと,保護フィルムを前記第1の主面に貼り付けるステップと,を具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1,第2の主面を有する半導体基板の前記第1の主面に複数の第1の溝を形成するステップと,
前記第1の溝内に,前記第1の主面より上方に位置する上面を有する絶縁部材を形成するステップと,
前記絶縁部材の内,前記第1の主面より上方に有る部分の一部を除去するステップと,
前記除去の後,前記絶縁部材に第2の溝を形成するステップと,
保護フィルムを前記第1の主面に貼り付けるステップと,
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/301
, H01L 23/12
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L21/78 R
, H01L21/78 Q
, H01L23/12 501P
, H01L25/08 Z
