フォトダイオード

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2007074007
公開番号（公開出願番号）：WO2008-072688
出願日： 2007年12月13日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：

MSM型のフォトダイオードは、入射光に対して透明な半導体からなる上部スペーサ層と、上部スペーサ層上に設けられて表面プラズモンを誘起することが可能なように構成された金属周期構造体であって、交互配置している部分を有する第1及び第2の電極を有する金属周期構造体と、上部スペーサ層の下に設けられ、上部スペーサ層の屈折率よりも高い屈折率を有する半導体からなる光吸収層と、光吸収層の下に設けられ、光吸収層の屈折率よりも小さい屈折率を有する下部スペーサ層と、を有する。第1及び第2の電極は、いずれも、上部スペーサ層とショットキー接合を形成する。

請求項（抜粋）：

入射光に対して透明な半導体からなる上部スペーサ層と、前記上部スペーサ層上に設けられて表面プラズモンを誘起することが可能なように構成された金属周期構造体であって、前記上部スペーサ層上において相互に交互配置している部分を有する第1及び第2の電極を有する金属周期構造体と、前記上部スペーサ層の下に設けられ、前記上部スペーサ層の屈折率よりも高い屈折率を有する半導体からなる光吸収層と、前記光吸収層の下に設けられ、前記光吸収層の屈折率よりも小さい屈折率を有する下部スペーサ層と、を有し、前記第1及び第2の電極はいずれも前記上部スペーサ層とショットキー接合を形成する、フォトダイオード。

IPC (1件)：

H01L 31/108

FI (1件)：

H01L31/10 C

Fターム (15件)：

5F049MA05 , 5F049MB03 , 5F049MB07 , 5F049NA01 , 5F049NB01 , 5F049QA16 , 5F049QA19 , 5F049SE05 , 5F049SE09 , 5F049SE12 , 5F049SS03 , 5F049SS04 , 5F049SZ03 , 5F049TA12 , 5F049TA14

引用特許：

出願人引用 (4件)

集積光検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-244129 出願人：株式会社日立製作所
光電子カプラ
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-507561 出願人：ブラント・エイ・ペインター,ザ・サード
金属電極格子からなるミラーを備えた共鳴キャビティが設けられているMSMタイプの光検出器
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-523876 出願人：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク

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