半導体構造物の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鷲田公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-223713
公開番号（公開出願番号）：特開2010-058988
出願日： 2008年09月01日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：

【課題】シリコン基板に代表されるIV族半導体上に、基板面に対して垂直に延びる半導体ナノワイヤを配置すること。【解決手段】(111)面を有するIV族半導体基板と、前記(111)面を被覆し、開口部を有する絶縁膜とを含む基板を準備し;前記基板を低温熱処理して、前記(111)面を、(111)1×1面とし;前記基板に低温条件下で、III族原料またはV族原料を供給して、前記(111)面を、(111)A面または(111)B面に変換し;前記IV族半導体基板の(111)面から前記開口部を通して、III-V化合物半導体ナノワイヤを成長させる。IV族半導体基板とは、シリコン基板やゲルマニウム基板であったりする。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

IV族半導体基板と、前記IV族半導体基板の表面から垂直に延びるIII-V族化合物半導体ナノワイヤとを含む半導体構造物の製造方法であって、 (111)面を有するIV族半導体基板と、前記(111)面を被覆し、開口部を有する絶縁膜とを含む基板を準備するステップと、前記基板を低温熱処理して、前記(111)面を、(111)1×1面とするステップと、前記基板に低温条件下で、III族原料またはV族原料を供給して、前記(111)面を、(111)A面または(111)B面に変換するステップと、前記IV族半導体基板の(111)面から前記開口部を通して、III-V化合物半導体ナノワイヤを成長させるステップとを含む、製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/62 , B82B 1/00 , B82B 3/00 , H01L 31/04

FI (5件)：

C30B29/62 U , B82B1/00 , B82B3/00 , C30B29/62 Q , H01L31/04 E

Fターム (35件)：

4G077AA04 , 4G077AB09 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077BE41 , 4G077BE44 , 4G077BE45 , 4G077BE46 , 4G077BE47 , 4G077BE48 , 4G077DB08 , 4G077EC09 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE01 , 4G077EE02 , 4G077EE07 , 4G077HA01 , 4G077HA06 , 4G077TA02 , 4G077TA04 , 4G077TB05 , 4G077TC01 , 4G077TC05 , 4G077TJ01 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4G077TK08 , 4G077TK10 , 5F051AA08 , 5F051CB12 , 5F051CB29 , 5F151AA08 , 5F151CB12 , 5F151CB29

引用文献：

出願人引用 (1件)

MOVPE選択成長法によるSi(111)基板上のIII-IV族化合物半導体ナノワイヤ成長

審査官引用 (1件)

MOVPE選択成長法によるSi(111)基板上のIII-IV族化合物半導体ナノワイヤ成長

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