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J-GLOBAL ID：201102201739353918   整理番号：11A0807177

シリコンナノワイヤアレイ・テキスチャード太陽電池における電極-接触増強

Electrode-contact enhancement in silicon nanowire-array-textured solar cells

著者 (11件)： CHEN Chen (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  JIA Rui (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  LI Haofeng (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  MENG Yanlong (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  LIU Xinyu (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  YE Tianchun (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  KASAI Seiya (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  TAMOTSU Hashizume (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  WU Nanjian (The State Key Lab. of Superlattices and Microstructures, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...) ,  WANG Shanli (Res. Center of Advanced Solar Cells, Chinese Acad. of Sciences, CHN) ,  CHU Junhao (Res. Center of Advanced Solar Cells, Chinese Acad. of Sciences, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 98  号： 14  ページ： 143108  発行年： 2011年04月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(Si)ナノワイヤ(NW)アレイ・テキスチャード太陽電池において,簡単で便利な二重ステッププロセスを用いてSi-NWアレイのチップに高濃度ドープN⁺領域を形成することにより,電極-接触増強を実現した。直列抵抗が効率的に減少し,その結果,電池内の短絡回路電流密度が増加した。Si-NWアレイのチップでのドーピング濃度の増加が,電極-接触特性に与える影響の物理的機構を調べた。それは,そのようなナノ構造太陽電池における電池性能の改善を実現するのに有益である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *太陽電池 ,  半導体 ,  アレイ ,  ナノ構造 ,  短絡電流
準シソーラス用語： *シリコンナノワイヤ ,  ナノアレイ ,  短絡回路電流

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： 太陽電池 ,  増強