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J-GLOBAL ID：201102206476658869   整理番号：11A1680077

SiN_X絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音の構造サイズ依存性

著者 (5件)： 村松徹 ,  三浦健輔 ,  白鳥悠太 ,  葛西誠也 (JST-さきがけ) ,  葛西誠也
資料名： 応用物理学会北海道支部・日本光学会北海道地区合同学術講演会講演予稿集  (応用物理学会北海道支部学術講演会・日本光学会北海道地区講演予稿集)
巻： 46th-7th  ページ： 21  発行年： 2011年01月07日 
JST資料番号： L5918A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 窒化ケイ素 ,  ヒ化ガリウム ,  ナノワイヤ ,  *FET【トランジスタ】 ,  *低周波雑音 ,  依存性 ,  半導体材料 ,  雑音発生器 ,  *電流 ,  雑音指数
準シソーラス用語： サイズ依存性 ,  *ドレイン電流

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  雑音測定  (ND04030F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 絶縁 ,  ゲート ,  GaAs ,  ナノワイヤFET ,  低周波雑音 ,  サイズ依存性