{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2024年03月
文献
J-GLOBAL ID:201102208537478691   整理番号:11A1354211

SiNx絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価

Characterization of Low-Frequency Noise in SiNx Insulator-Gate GaAs Etched Nanowire FETs
著者 (4件):
資料名:
巻: 111  号: 167(ED2011 37-58)  ページ: 31-34  発行年: 2011年07月22日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
半導体電界効果トランジスタ(FET)の微細化に伴い素子自身が発する雑音が増大しており,雑音特性の理解と制御が重要になっている。本研究では,絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETを試作し,低周波雑音特性の評価を行った。エッチングで形成したGaAsナノワイヤFETにSiNx絶縁ゲートを設けることで導入した電子トラップの影響,および,素子サイズと低周波雑音強度やスペクトルの相関を実験的に検討した。SiNx絶縁ゲートの挿入により低周波雑音は増大した。観測された雑音スペクトルは1/f2であり,離散トラップの充放電によるランダムテレグラフシグナル(RTS)が主である。雑音スペクトルと強度はナノワイヤ幅に依存し,サイズ縮小にともないスペクトルは1/fから1/f2へ遷移した。(著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ 
引用文献 (8件):
もっと見る

前のページに戻る