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J-GLOBAL ID：201102213454692768   整理番号：11A0807127

Siにおけるフォノン位相緩和動力学のドーピングタイプ依存

Doping-type dependence of phonon dephasing dynamics in Si

著者 (9件)： KATO Keiko (NTT Basic Res. Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa ...) ,  OGURI Katsuya (NTT Basic Res. Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa ...) ,  ISHIZAWA Atsushi (NTT Basic Res. Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa ...) ,  TATENO Kouta (NTT Basic Res. Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa ...) ,  TAWARA Takehiko (NTT Basic Res. Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa ...) ,  GOTOH Hideki (NTT Basic Res. Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa ...) ,  KITAJIMA Masahiro (Dep. of Applied Physics, School of Applied Sci., National Defense Acad. of Japan, Hashirimizu 1-10-20, Yokosuka ...) ,  NAKANO Hidetoshi (NTT Basic Res. Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa ...) ,  SOGAWA Tetsuomi (NTT Basic Res. Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 98  号： 14  ページ： 141904  発行年： 2011年04月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ10fsレーザパルスによる時間分解反射率測定を用いて,n型,p型,及び真性Siにおけるコヒーレントフォノンの位相緩和動力学を研究した。コヒーレントフォノンの位相緩和時間は,真性Siのそれと比較してn-type(p-type)ドーピングについて増加する(減少)。一方,コヒーレントフォノンの周波数は,両型のドーピングに対して赤方偏移を示す。キャリア濃度が1019cm^-3を越えるとき,これらのドーピングによってコヒーレントフォノン動力学に誘発された変化が観察される。各々,ドーピング時間のドーピングタイプ依存性変化は,n型及びp型Siにおける伝導バンド間及び原子価バンド間遷移に起因する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *パルスレーザ ,  フォノン ,  赤方偏移 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  真性半導体 ,  *デフェージング ,  緩和時間 ,  反射率 ,  計測 ,  *フォトドーピング ,  ケイ素 ,  フェムト秒レーザ
準シソーラス用語： コヒーレントフォノン ,  レーザドーピング ,  反射率測定

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  フォノン ,  位相緩和 ,  動力学 ,  ドーピング ,  タイプ