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J-GLOBAL ID：201102223273430155   整理番号：11A0926833

界面状態とバルクキャリア寿命が紫外光検知用の金属/絶縁体/GaN構造の光容量に及ぼす影響

Impact of Interface States and Bulk Carrier Lifetime on Photocapacitance of Metal/Insulator/GaN Structure for Ultraviolet Light Detection

著者 (5件)： BIDZINSKI Piotr (Silesian Univ. Technol., Gliwice, POL) ,  MICZEK Marcin (Silesian Univ. Technol., Gliwice, POL) ,  ADAMOWICZ Boguslawa (Silesian Univ. Technol., Gliwice, POL) ,  MIZUE Chihoko (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 4,Issue 2  ページ： 04DF08.1-04DF08.8  発行年： 2011年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属/絶縁体/n-GaN UV光線光検知器について,界面状態密度とバルクキャリア寿命が,光容量に対する広範囲のゲートバイアス(-0.1から-3V)と光強度(109から1020フォトンcm-2s-)との依存性に及ぼす影響を,数値シミュレーションにより調査した。光検知限界,及び,光容量飽和を,電子とホールの界面電荷と界面フェルミ準位,及び,有効界面再結合速度の観点から調査した。界面状態を経た過剰キャリア再結合が,光容量クエンチングの主な理由であることが証明された。この光検知器は,ゲートバイアスで調整した種々のモード(オン-オフ,または,定量光測定)において動作することが分かった。実験データ,及び,理論による容量-光強度特性との比較を実施した。更に,容量-電圧光強度測定からの界面状態密度分布を測定するための新たな手法も提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *紫外線 ,  *光検出器 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *MIS構造 ,  状態密度 ,  キャリア寿命 ,  計算機シミュレーション

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

引用文献 (23件)：

• 1) E. Munoz. Phys Status Solidi B 244 (2007) 2859.
• 2) J. Piprek. Nitride Semiconductor Devices: Principles and Simulation (Wiley-VCH, Weinheim, 2007).
• 3) C. Mizue, M Miczek, S. Kotam, and T. Hashizume. Jpn J. Appl. Phys. 48 (2009) 020201.
• 4) S. Strite and H Morkoc J. Vac Sci Technol. B 10 (1992) 1237.
• 5) N. Shiozakt and T. Hashizume. J. Appl. Phys. 105 (2009) 064912.

タイトルに関連する用語 (6件)： 界面状態 ,  バルク ,  キャリア寿命 ,  紫外光 ,  絶縁体 ,  GaN