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文献
J-GLOBAL ID:201102225516944198   整理番号:11A0726983

ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討

Fabrication of GaAs-based Nanowire CCD Controlled by Schottky Wrap Gates and Characterization of Its Charge Transfer Operation
著者 (5件):
資料名:
巻: 110  号: 423(ED2010 192-206)  ページ: 49-52  発行年: 2011年02月16日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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同期型ナノワイヤ集積回路の構成要素として,GaAs系ナノワイヤをショットキーラップゲートで制御した電荷結合素子(Charge Coupled Device:CCD)の試作とその電荷転送動作について述べる。2つのラップゲートを設け,ゲート電圧をクロック制御することでドットを介した電荷パケットの転送を行う。試作デバイスにおいてクロック周波数に応じたDC電流が観測された。得られた電流は温度に依存しないことから,ゲートクロックによる同期電荷転送が実現されていることが確認された。(著者抄録)
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分類 (1件):
分類
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電荷移送デバイス 
タイトルに関連する用語 (5件):
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