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J-GLOBAL ID：201102242890174870   整理番号：11A0791551

高κ誘電体HfO₂に埋込んだ珪素ナノ結晶の形成と電荷蓄積へのその応用

Formation of silicon nanocrystals embedded in high-κ dielectric HfO₂ and their application for charge storage

著者 (12件)： LI Weilong (Microwave Devices and Integrated Circuits Dep., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029 ...) ,  JIA Rui (Microwave Devices and Integrated Circuits Dep., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029 ...) ,  CHEN Chen (Microwave Devices and Integrated Circuits Dep., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029 ...) ,  LI Haofeng (Microwave Devices and Integrated Circuits Dep., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029 ...) ,  LIU Xinyu (Microwave Devices and Integrated Circuits Dep., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029 ...) ,  YUE Huihui (Microwave Devices and Integrated Circuits Dep., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029 ...) ,  DING Wuchang (Microwave Devices and Integrated Circuits Dep., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029 ...) ,  YE Tianchun (Microwave Devices and Integrated Circuits Dep., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029 ...) ,  KASAI Seiya (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, JPN) ,  WU Nanjian (The State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  XU Bingshe (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Taiyuan Univ. of Technol., Taiyuan 030024, CHN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 29  号： 2  ページ： 021018  発行年： 2011年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビーム同時蒸着により堆積させたHfO₂膜を含む珪素薄膜を焼なまして,高κ誘電体HfO₂中に埋込んだ珪素ナノ結晶を作製した。このような膜を用いて不揮発性メモリ素子を作製できる。前駆体HfSi_xO₂(x=1,2,3,4)膜中のSi含有率を変えることで珪素ナノ結晶の大きさと密度を制御でき,高密度の珪素ナノ結晶が得られた。透過型電子顕微鏡観察では,珪素ナノ結晶の最高密度はHfSi₄O₂に対して1.3×10¹³cm^-2と高く,ナノ結晶の平均粒径は4.3nmであった。HfSi₄O₂中に埋込んだ珪素ナノ結晶を持つ金属酸化物半導体(MOS)コンデンサメモリ構造は,±5Vの掃引電圧下で3.94Vの最大メモリ窓を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *ナノ結晶 ,  誘電体 ,  ケイ素 ,  帯電 ,  電子ビーム蒸着 ,  *不揮発性メモリ ,  含有量 ,  電子顕微鏡観察 ,  薄膜コンデンサ ,  MOS構造
準シソーラス用語： 電荷蓄積 ,  MOSコンデンサ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高 ,  誘電体 ,  HfO2 ,  埋込 ,  珪素 ,  ナノ結晶 ,  電荷蓄積 ,  応用