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J-GLOBAL ID：201102248539293925   整理番号：11A0627960

水素吸着ZnO表面からの光刺激水素脱離とMgO薄膜による脱離抑制効果の検討

著者 (2件)： 小澤健一 (東京工大 大学院) ,  間瀬一彦 (物構研)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 66  号： 1 第4分冊  ページ： 919  発行年： 2011年03月03日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  酸化マグネシウム ,  水素 ,  *吸着 ,  脱着 ,  金属性 ,  *表面準位
準シソーラス用語： *光刺激脱着 ,  抑制効果

分類 (1件)： 吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： 水素吸着 ,  ZnO ,  光刺激 ,  水素脱離 ,  MgO ,  薄膜 ,  脱離 ,  抑制効果