文献

J-GLOBAL ID：201102257285395357   整理番号：11A0627941

トポロジカル絶縁体Bi₂Te₃超薄膜へのPbドープによるフェルミ準位制御と電気伝導

著者 (6件)： 坂本裕介 (東大 理) ,  平原徹 (東大 理) ,  山田学 (東大 理) ,  宮崎秀俊 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  木村真一 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  長谷川修司 (東大 理)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 66  号： 1 第4分冊  ページ： 913  発行年： 2011年03月03日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： テルル化物 ,  ビスマス化合物 ,  絶縁材料 ,  鉛 ,  ドーピング ,  Fermi準位 ,  表面準位 ,  超薄膜 ,  角度分解分光法 ,  光電子スペクトル ,  *バンド構造 ,  *電気伝導率 ,  絶縁体 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： *テルル化ビスマス

分類 (3件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： トポロジカル絶縁体 ,  超薄膜 ,  Pb ,  ドープ ,  フェルミ準位 ,  電気伝導