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J-GLOBAL ID：201102269388384181   整理番号：11A1055975

照射した金属/絶縁体/GaN構造での少数キャリア挙動に対する界面状態とバルクキャリア寿命との影響

The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure

著者 (5件)： MICZEK Marcin ,  BIDZINSKI Piotr ,  ADAMOWICZ Boguslawa ,  MIZUE Chihoko ,  HASHIZUME Tamotsu
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 151  号： 11  ページ： 830-833  発行年： 2011年06月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *金属 ,  *絶縁材料 ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *少数キャリア ,  *MIS構造 ,  *表面準位 ,  キャリア寿命 ,  再結合 ,  紫外線照射 ,  二酸化ケイ素 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： シリカ ,  Shockley-Read-Hall再結合 ,  ヘテロ構造

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 絶縁体 ,  GaN ,  少数キャリア ,  挙動 ,  界面状態 ,  バルク ,  キャリア寿命